يُعد ترانزستور تأثير المجال البوابة (JFET) أحد أبسط أنواع ترانزستور تَأثير المجال

الترانزستورات ذات تَأثير المجال بِشكل عاَم هي أجهزة أشباه موصلات ثلاثية الأطراف يُمكن استخدامها كمفاتيح أو مقاومات يَتم التحكم فيها إلكترونيًا  أو لبناء مُكبرات صوت.

مَنطقة التشبع فِي تَرانزستور ذو تأثير مجال البوابة JFET

في هذه المنطقة  يَحتوي ترانزستور ذو تأثير البوابة على تَيار مُستقر استقرار تام ويحتوي على بَعض الميزات الخطية المستخدمة في التضخيم تَشبه هذه الميزات تلك الخاصة بـ BJT

في المنطقة الخطية لذلك  يَتصرف ترانزستور دو تأثير البوابة  كمصدر تَيار يَتم التحكم فيه بالجهد (VGS) والذي يَكون معرفه مستقلاً فعليًا عن الجهد VDS.

تُعرف المعادلة التي تَربط المُعرف الحالي بالجهد VGS باسم معادلة شوكلي  :

حيثُ Vp هو جهد الضغط  و IDSS عبارة عن تيار التشبع و يتم تعريف هذا (IDSS) الحالي على أنه قيمة المعرف الحالي عندما يكون VGS = 0

وغالبًا ما تُستخدم هذه الميزة للحصول على مَصدر تيار ذي قيمة ثابتة (IDSS) تُمثل هذه المعادلة .

أن هذه العلاقة مَع خصائص ترانزستور دُو تأثير مَجال البوابة  في الشكل اعلاه  تُتيح لنا بيانياً كيفية العثور على نقطة Q لترانزستور ذو تأثير مَجال البوابة

في مَنطقة التشبع يُوضح الشكل الرسومي لنقطة Q والعلاقة بين كلا المنحنيين اللذين يُساعدان في العثور عَلى نقطة التحيز في ترانزستور JFET  بِاستخدام الرسومات.

مَنطقة الانهيار في ترانزستور دُو تأثير مَجال البوابة JFET

يُمكن أن يؤدي الجهد العالي في أطراف تَرانزستور دو تأثير البوابة  إلى انهيار تقاطع البوابة مُسبب بتلف الترانزستور وهذا شئ يَجب تجنبه

لذلك تَقوم الشركات المصنعة بَتوضيح مواصفات جُهد الانهيار بين جهد المصرف  وجهد المصدر عند توصيل البوابة يُعرف هذا الجهد باسم BVDSS

وتتراوح قيمته بين 20 و 50 فولت لا يجب أن تكون هذه الفولتية أكبر من هذه القيم لتجنب تلف الترانستور .

  • إعداد : المهندس عبدالرحمن الحمادي
  • تدقيق : المهندس بشار الحجي .
مصدر المقاله اضغط هنا